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電容電壓特性測試儀

簡要描述:作為(wei) 組成半導體(ti) 器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結勢壘區變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結勢壘區變寬,勢壘電容變小。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-04-24
  • 訪  問  量:3925
詳情介紹

 

作為(wei) 組成半導體(ti) 器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結勢壘區變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結勢壘區變寬,勢壘電容變小。

是測試頻率為(wei) 1MHz的智能化數字的電容測試儀(yi) 器,於(yu) 測試半導體(ti) 器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量,也可測試其它電容。

麵板上的發光二極管指示儀(yi) 器的工作狀態,用數碼管組成的顯示板,將被測元件的數值,小數點清晰地顯示出來。儀(yi) 器有較高的分辨率,電容量是四位讀數,可分辮到0.01pF,偏置電壓分辨力為(wei) 0.1V,漏電流分辨力為(wei) 0.01uA

儀(yi) 器配有CV-2000型測量座,接插元件靈活,方便可靠。

技術指標

測試信號頻率 1.000MHz±0.01%

測試信號電壓小於(yu) 或等於(yu) 100mVrms

電容測量範圍 1.00pF1000pF

工作誤差±3.0%±2

直流偏壓 zui大100V

供電電源交流電壓:220V±5%
 頻率: 50Hz±5%
 消耗功率:不大於(yu) 40W

工作環境溫度:0—40℃;
 濕度:20%~90%RH 40℃;

 

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